硅是地殼上豐富的元素半導(dǎo)體, 性質(zhì)而工藝技術(shù)比較成熟,已成為固態(tài)電子器件的主要原料。為適應(yīng)超大規(guī)模集成電路的需要,高完整性高均勻度(尤其是氧的分布) 的硅單晶制備技術(shù)正在發(fā)展。雖然在超速集成電路方面砷化鎵材料表現(xiàn)出的性，但尚不可能全面取代硅的地位。硅材料在各種晶體三極管、尤其是功率器件制造方面仍是主要的材料。無定形硅可能成為同單晶硅并列的重要硅材料。無定形硅和多晶硅太陽電池的成功將使硅材料的消耗量急劇增加。

非平衡載流子壽命 　光照或電注入產(chǎn)生的附加電子和空穴瞬即復(fù)合而消失，它們平均存在的時間稱為非平衡載流子的壽命。非平衡載流子壽命同器件放大倍數(shù)、反向電流和開關(guān)特性等均有關(guān)系。壽命值又間接地反映硅單晶的純度，存在重金屬雜質(zhì)會使壽命值大大降低。

硅是元素半導(dǎo)體。電活性雜質(zhì)磷和硼在合格半導(dǎo)體和多晶硅中應(yīng)分別低于0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時要摻入一定量的電活性雜質(zhì)，以獲得所要求的導(dǎo)電類型和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質(zhì)，它們的存在會使PN結(jié)性能變壞。硅中碳含量較高，低于1ppm者可認(rèn)為是低碳單晶。碳含量超過3ppm時其有害作用已較顯著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅單晶氧含量在5～40ppm范圍內(nèi)；區(qū)熔硅單晶氧含量可低于1ppm。

目前，世界上絕大部分廠家采用傳統(tǒng)的改良西門子法生產(chǎn)硅料，作為成熟的技術(shù)路線，其降本增效潛力已近極限。作為硅料的保利協(xié)鑫十余年如一日，不斷尋求技術(shù)突破以實(shí)現(xiàn)提質(zhì)增效，其的、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的硅烷流化床法顆粒硅（FBR法顆粒硅）技術(shù)已趨成熟，在產(chǎn)品純度、能耗、產(chǎn)能等各項(xiàng)指標(biāo)上，均大幅改良西門子法。

回收廠能夠回收晶體硅光伏板中95%的材料。而此前，老化或破損的太陽能電池板通常被送到玻璃回收設(shè)施中，僅對玻璃和鋁框架進(jìn)行回收。而剩下的材料會被送往水泥爐中作焚燒處理。此外，玻璃回收廠只能將太陽能電池板的特種玻璃杯回收后與其它普通玻璃混合，造成了浪費(fèi)。

全球光伏回收產(chǎn)業(yè)市場潛力，國際能源署預(yù)計(jì)到2050年全球?qū)⒂薪?000萬噸，約43億塊報(bào)廢光伏組件需要處理，由于玻璃、鋁、硅等材料、以及銀、銦等稀有元素可以回收回用，回收也將產(chǎn)生約150億美元的市場價值；中國光伏行業(yè)協(xié)會預(yù)測到2030年中國也將面臨回收150萬噸報(bào)廢組件，2050年將達(dá)到2000萬噸，隨著近年來的大規(guī)模既有項(xiàng)目的技改，中國光伏回收高峰將提前到來。