在不同電流密度下的分階段電沉積實驗展示了動態(tài)的硅通孔
(TSV) 填充過程。通過控制外加電流密度，可以獲得對應于
TSV填充結果的不同形貌。具體來說，低電流密度 (4 mA/
cm 2 ) 會導致接縫缺陷填充，中等電流密度 (7 mA/cm 2 ) 會導
致?缺陷填充，??電流密度 (10 mA/cm 2 )) 導致空洞缺陷填
充。填充系數(shù)分析表明，電流密度對TSV填充模型的影響是
由添加劑和銅離?的消耗和擴散的耦合效應觸發(fā)的。此外，
鍍層的形態(tài)演變表明局部沉積速率受鍍層?何特征的影響。
硅通孔 (TSV) 是?種很有前途的三維 (3D) 封裝技術，具有
?性能、減小封裝體積、低功耗和多功能等優(yōu)點。在 TSV ?
藝中，通常使用銅電化學沉積 (ECD) 進?的通孔填充步驟占
總成本的近 40% 。作為 TSV 的核?和關鍵技術，以小化?
藝時間和成本的?缺陷填充備受關注。

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小型噴鍍機臺
配備有Stir Cup適用于研發(fā)以及小批量生產(chǎn)。
特別適合于鍍孔，Sn/Ag電鍍，Cu pillar等電鍍制程。
體積小，可對應2寸到8寸晶圓電鍍。
只需使用10L或更少的鍍液。
配備循環(huán)過濾器
配備供排液泵。
Stir Cup

MEMS導電膠 絕緣膠 低應力膠2025D 84-1LMI JM7000
厚膜導電膠84-1A 84-1LMI 84-1LMIT1 JM7000 84-3 2025D
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