主要用于對半導體硅晶圓、化合物半導體晶圓（SiC、GaAs、GaP等）、氧化物半導體晶圓（LiTaO3 等）等半導體晶圓進行、精密劃切，實現(xiàn)芯片單體化。

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通常在切割前會在晶圓背部貼上UV膜或藍膜，之后將貼有UV膜的晶圓放入劃片機中，設置好程序開始劃片，劃片結(jié)束后拿出晶圓，進行解UV等工序。藍膜成本較低，但是需要通過機械手段+溫度輔助才能將芯片剝離；而UV膜粘性可以通過紫外線照射來改變。在劃片完成后，晶圓被暴露在紫外光下，這使得膜的粘性降低，從而容易地剝離芯片。

崩邊

正崩主要發(fā)生在晶圓的切割面（正面），背崩是指晶圓背面的崩邊。不管正崩與背崩，在晶圓劃片時都是不被允許的。崩邊產(chǎn)生的原因有：

1，不恰當?shù)那懈顓?shù)導致崩邊

2，刀片磨損嚴重，鈍化的刀片邊緣增加了切割過程中的不規(guī)則作用力，從而增加了崩邊的可能性

3，刀片中的金剛石等磨料顆粒在切割過程中與晶圓表面材料發(fā)生撞擊，導致崩邊
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