燒結(jié)銀AS9376的致密化率? >95%（常壓燒結(jié)） 減少孔隙率（<2%）提升可靠性
?附著力? ≥45 MPa（劃格法） 抗機(jī)械應(yīng)力（滿足芯片堆疊需求）

燒結(jié)銀AS9376在HPC中的典型應(yīng)用
?1. 芯片間3D堆疊互連
?技術(shù)挑戰(zhàn)：
需實(shí)現(xiàn)微米級(jí)TSV（硅通孔）填充和高密度凸點(diǎn)互連，同時(shí)避免傳統(tǒng)熱壓燒結(jié)對(duì)下層芯片的形變影響。

無(wú)壓燒結(jié)銀AS9376用于MEMS慣性傳感器封裝
?技術(shù)挑戰(zhàn)：
需兼容MEMS振梁等微結(jié)構(gòu)（尺寸<100 nm），避免高溫高壓導(dǎo)致形變或失效。
?AS9376解決方案：
?低應(yīng)力燒結(jié)：燒結(jié)過(guò)程對(duì)硅基板應(yīng)力<5 MPa，振梁諧振頻率偏差<0.5%。
?真空密封：通過(guò)無(wú)壓燒結(jié)實(shí)現(xiàn)氣密性封裝（漏率<1×10?? Pa/m3），壽命>101?次循環(huán)。
?假設(shè)案例：博世MEMS陀螺儀采用AS9376封裝，體積縮小30%，成本降低20%。

無(wú)壓燒結(jié)銀AS9376用于陶瓷基板互連
?技術(shù)挑戰(zhàn)：
在AlN/SiC等高導(dǎo)熱陶瓷基板上實(shí)現(xiàn)高密度布線，需材料CTE與基板匹配。
?AS9376解決方案：
?CTE可調(diào)性：通過(guò)玻璃粉組分優(yōu)化（Bi?O?-ZnO-B?O?體系），CTE控制在6 ppm/℃（接近AlN的2.5 ppm/℃）。
?高可靠性：85℃熱沖擊下界面剪切強(qiáng)度>25 MPa，無(wú)開裂。
假設(shè)?案例：用于Xilinx UltraScale+ FPGA陶瓷基板，信號(hào)延遲降低10%。

燒結(jié)銀AS9376實(shí)施建議與驗(yàn)證方法
?燒結(jié)曲線設(shè)計(jì)：
推薦兩段式工藝：150℃預(yù)燒結(jié)（5 min）+峰值溫度180℃（3℃/s升溫，10 min保溫）。

燒結(jié)銀AS9376的微觀結(jié)構(gòu)：
SEM觀察燒結(jié)后銀層孔隙率（<2%）、晶粒尺寸（<50 nm）。
?電學(xué)性能：
四探針?lè)y(cè)接觸電阻（目標(biāo)<10 mΩ·mm2）和擊穿電壓（>100 V）。

善仁（浙江）新材料科技有限公司主營(yíng)：納米銀膏,納米燒結(jié)銀膏,燒結(jié)銀膏,燒結(jié)銀，提供無(wú)壓納米燒結(jié)銀膏AS9373美國(guó)燒結(jié)銀替代，公司一直堅(jiān)持以人為本、誠(chéng)信立業(yè)的理念，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的無(wú)壓納米燒結(jié)銀膏AS9373美國(guó)燒結(jié)銀替代服務(wù)，由于產(chǎn)品規(guī)格不同，價(jià)格也有所不同，如有需求請(qǐng)與我電話溝通，以免給您造成不必要的損失。