劃片刀又稱金剛石劃片刀，包含三個主要元素：金剛石顆粒的大小、密度和粘結(jié)材料。 金剛石顆粒在晶圓的切割過程中起著研磨劑的作用，通常是由CBN (Cubic Boron Nitride)合成而來。 金剛石顆粒尺寸從２um到8um之間變化。 為達到更好的切割質(zhì)量，通常選用帶棱角的金剛石顆粒。 金剛石顆粒的密度代表著金剛石顆粒占金剛石刀片的體積比。

主要用于對半導體硅晶圓、化合物半導體晶圓（SiC、GaAs、GaP等）、氧化物半導體晶圓（LiTaO3 等）等半導體晶圓進行、精密劃切，實現(xiàn)芯片單體化。

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劃片機一般提供兩種切割模式，單刀切割（Single Cut）和臺階式切割（Step Cut），實驗證明，劃片刀的設計不可能同時滿足正面崩角、分層及背面崩角的質(zhì)量控制的要求。這個結(jié)論對于晶圓厚度大于7 mil的低k晶圓尤為適用。為了減小正面金屬層與ILD層的分層，薄劃片刀會被采用，若晶圓較厚，則需選取刀鋒較長的刀片。但須注意，具有較高刀鋒／刀寬比的劃片刀在切割時會產(chǎn)生擺動，反而會造成較大的正面分層及背面崩角。
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因為硅材料的脆性，機械切割方式會對晶圓的正面和背面產(chǎn)生機械應力，結(jié)果在芯片的邊緣產(chǎn)生正面崩角（FSC- Front Side Chipping）及背面崩角（BSC – Back Side Chipping）。
正面崩角和背面崩角會降低芯片的機械強度，初始的芯片邊緣裂隙在后續(xù)的封裝工藝中或在產(chǎn)品的使用中會進一步擴散，從而可能引起芯片斷裂，導致電性失效。另外，如果崩角進入了用于保護芯片內(nèi)部電路、防止劃片損傷的密封環(huán)（Seal Ring）內(nèi)部時，芯片的電氣性能和可靠性都會受到影響。　
封裝工藝設計規(guī)則限定崩角不能進入芯片邊緣的密封圈。

北京汐源科技有限公司
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刀片切割是指利用金剛石刀片對晶圓進行切割的工藝，這是一種純粹的物理切割來分裂晶圓，一般厚度100um以上的晶圓適用于該劃片方式。金剛石刀片在高速旋轉(zhuǎn)時沿切割道移動，將晶圓完全切透，同時會使用水來冷卻刀片和晶圓，減少熱損傷以及帶走切割產(chǎn)生的碎屑。


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顆粒越大，刀片壽命越長；顆粒越小，刀片壽命越短。 顆粒集中度的影響 顆粒集中度對劃片質(zhì)量也非常關鍵。 關于相同的金剛石顆粒大小會消費出不同集中度的刀片，劃片效果也會有很大差別。 目前，劃片刀常見有5種規(guī)格，分別是：50、70、90、110、130。 依據(jù)實踐測試得出，高集中度的金剛石顆粒，劃片阻力小，劃片速度快，，還能夠延長劃片刀的壽命，減少晶圓正面崩缺