5年
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燒結(jié)銀膏,無(wú)壓燒結(jié)銀,納米銀膏,納米燒結(jié)銀 |
面向地區(qū) |
粘合材料類型 |
金屬類 |
燒結(jié)銀漿AS9376作為一種專為計(jì)算（HPC）設(shè)計(jì)的低溫?zé)Y(jié)材料，其特的無(wú)壓燒結(jié)工藝、高導(dǎo)電性和工藝兼容性使其成為HPC芯片封裝、3D集成和異質(zhì)互連等場(chǎng)景的理想選擇。以下是其在HPC中的具體應(yīng)用分析及技術(shù)價(jià)值：
燒結(jié)銀AS9376燒結(jié)銀的導(dǎo)電率? ≥1×10? S/cm（燒結(jié)后） 支持高密度互連（電阻率低至1.6 μΩ·cm）
?熱膨脹系數(shù)（CTE）?? 可定制（≈5-8 ppm/℃） 匹配硅/陶瓷基板（ΔCTE <5 ppm/℃）
燒結(jié)銀AS9376的致密化率? >95%（常壓燒結(jié)） 減少孔隙率（<2%）提升可靠性
?附著力? ≥45 MPa（劃格法） 抗機(jī)械應(yīng)力（滿足芯片堆疊需求）
無(wú)壓燒結(jié)銀AS9376解決方案：
?低溫?zé)Y(jié)工藝：在180℃下形成致密銀層，密度接近理論值（10.5 g/cm3），孔隙率<2%。
?高導(dǎo)電性：電阻率低至1.6 μΩ·cm，支持高頻信號(hào)傳輸（帶寬提升30%）。
假設(shè)?案例：用于NVIDIA的H100 GPU 3D堆疊，互連密度達(dá)10?/cm2，功耗降低15%。
燒結(jié)銀AS9376用于激光雷達(dá)光學(xué)模組集成
?技術(shù)挑戰(zhàn)：
需將硅光芯片與光學(xué)元件無(wú)損互連，避免傳統(tǒng)焊接導(dǎo)致的界面反射損失。
?AS9376解決方案：
?納米級(jí)漿料：粒徑20-50 nm銀粉實(shí)現(xiàn)超薄互連層（厚度≤1 μm），插入損耗<0.1 dB。
?低溫工藝兼容：與UV固化工藝結(jié)合，避免高溫對(duì)光學(xué)元件的損傷。
假設(shè)?案例：Lumentum相干光引擎采用AS9376集成硅光芯片與光纖陣列，帶寬提升至1.6 Tbps。
燒結(jié)銀AS9375的可靠性測(cè)試：
PCT測(cè)試（100 bar/85℃）評(píng)估體積變化率（ΔV/V <0.5%）。
高溫加速老化（85℃/85%RH/1000小時(shí)）監(jiān)測(cè)電阻漂移率。
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