產(chǎn)品詳情

無壓納米燒結(jié)銀膏AS9337成都燒結(jié)銀

關(guān)鍵詞

無壓納米燒結(jié)銀膏,無壓燒結(jié)銀膏,無壓燒結(jié)銀,納米燒結(jié)銀膏

面向地區(qū)

粘合材料類型

金屬類

0BB無主柵定位膠黏劑，助力客戶降本增效

燒結(jié)銀AS9376的關(guān)鍵特性適配HPC需求
性能指標 AS9376參數(shù) HPC需求匹配性：燒結(jié)溫度? ≤180℃（峰值溫度）兼容低溫封裝工藝（避免熱損傷）

燒結(jié)銀AS9376燒結(jié)銀的導電率? ≥1×10? S/cm（燒結(jié)后）支持高密度互連（電阻率低至1.6 μΩ·cm）
?熱膨脹系數(shù)（CTE）?? 可定制（≈5-8 ppm/℃）匹配硅/陶瓷基板（ΔCTE <5 ppm/℃）

燒結(jié)銀AS9376的技術(shù)優(yōu)勢總結(jié)
?工藝自由度：
AS9376無需外部壓力，適配現(xiàn)有光刻、絲網(wǎng)印刷等HPC產(chǎn)線工藝。
?性能平衡：
導電率與熱導率（≥600 W/m·K）兼顧，支持高頻高速信號傳輸與散熱。

燒結(jié)銀AS9376的長期穩(wěn)定性：
抗離子遷移設計（添加Al?O?納米顆粒）使85℃/85%RH下電阻漂移率<5%/1000小時。
?成本效益：
銀包銅替代方案（Cu含量≤10%）可降低銀用量30%，材料成本下降25%。

燒結(jié)銀AS9376的微觀結(jié)構(gòu)：
SEM觀察燒結(jié)后銀層孔隙率（<2%）、晶粒尺寸（<50 nm）。
?電學性能：
四探針法測接觸電阻（目標<10 mΩ·mm2）和擊穿電壓（>100 V）。

燒結(jié)銀AS9375的可靠性測試：
PCT測試（100 bar/85℃）評估體積變化率（ΔV/V <0.5%）。
高溫加速老化（85℃/85%RH/1000小時）監(jiān)測電阻漂移率。