5年
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關(guān)鍵詞 |
無壓納米燒結(jié)銀膏,無壓燒結(jié)銀膏,燒結(jié)銀,納米燒結(jié)銀 |
面向地區(qū) |
粘合材料類型 |
金屬類 |
燒結(jié)銀AS9376在HPC中的典型應(yīng)用
?1. 芯片間3D堆疊互連
?技術(shù)挑戰(zhàn):
需實(shí)現(xiàn)微米級TSV(硅通孔)填充和高密度凸點(diǎn)互連,同時(shí)避免傳統(tǒng)熱壓燒結(jié)對下層芯片的形變影響。
無壓燒結(jié)銀AS9376解決方案:
?低溫?zé)Y(jié)工藝:在180℃下形成致密銀層,密度接近理論值(10.5 g/cm3),孔隙率<2%。
?高導(dǎo)電性:電阻率低至1.6 μΩ·cm,支持高頻信號傳輸(帶寬提升30%)。
假設(shè)?案例:用于NVIDIA的H100 GPU 3D堆疊,互連密度達(dá)10?/cm2,功耗降低15%。
燒結(jié)銀AS9375的可靠性測試:
PCT測試(100 bar/85℃)評估體積變化率(ΔV/V <0.5%)。
高溫加速老化(85℃/85%RH/1000小時(shí))監(jiān)測電阻漂移率。
————— 認(rèn)證資質(zhì) —————
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