關鍵詞 |
納米銀膏,燒結銀膏,無壓納米燒結銀膏,無壓燒結銀 |
面向地區(qū) |
粘合材料類型 |
金屬類 |
燒結銀AS9376的關鍵特性適配HPC需求
性能指標 AS9376參數 HPC需求匹配性：燒結溫度? ≤180℃（峰值溫度） 兼容低溫封裝工藝（避免熱損傷）
燒結銀AS9376燒結銀的導電率? ≥1×10? S/cm（燒結后） 支持高密度互連（電阻率低至1.6 μΩ·cm）
?熱膨脹系數（CTE）?? 可定制（≈5-8 ppm/℃） 匹配硅/陶瓷基板（ΔCTE <5 ppm/℃）
無壓燒結銀AS9376用于陶瓷基板互連
?技術挑戰(zhàn)：
在AlN/SiC等高導熱陶瓷基板上實現高密度布線，需材料CTE與基板匹配。
?AS9376解決方案：
?CTE可調性：通過玻璃粉組分優(yōu)化（Bi?O?-ZnO-B?O?體系），CTE控制在6 ppm/℃（接近AlN的2.5 ppm/℃）。
?高可靠性：85℃熱沖擊下界面剪切強度>25 MPa，無開裂。
假設?案例：用于Xilinx UltraScale+ FPGA陶瓷基板，信號延遲降低10%。
燒結銀AS9376的微觀結構：
SEM觀察燒結后銀層孔隙率（<2%）、晶粒尺寸（<50 nm）。
?電學性能：
四探針法測接觸電阻（目標<10 mΩ·mm2）和擊穿電壓（>100 V）。
燒結銀AS9376的未來擴展方向
?異質集成：
結合ALD銀膜（厚度~0.3 nm）構建三維互連網絡，實現低電阻（<10?? Ω·cm2）。
?智能化材料：
引入形狀記憶聚合物（SMP）改性銀漿，實現微裂紋自修復（修復效率>90%）。
若需進一步探討燒結銀AS9376在特定HPC應用（如量子計算芯片互連）中的定制化方案，或需要具體測試數據支持，請?zhí)峁└嗉夹g細節(jié)或合作需求。
————— 認證資質 —————
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