關(guān)鍵詞 |
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面向地區(qū) |
TSV制程關(guān)鍵?藝設(shè)備
TSV制作?藝包括以下?步:通孔制作;絕緣層、阻擋層和種?層的 沉積;銅填充;
通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光去除多余的?屬;晶圓減薄;晶圓鍵合 等。 每?步?藝都有相
當(dāng)?shù)募夹g(shù)難度，在通孔制作步驟，保持孔的形狀和控制 ?度非常重要，通過(guò)
Bosch?藝來(lái)實(shí)現(xiàn)深孔刻蝕;在沉積絕緣層、阻擋層 和種?層時(shí)，需要考慮各層
的均勻性和粘附性;銅填充時(shí)避免空洞等 缺陷，這樣填充的銅可以在疊層
器件較?的溫度下保持正常的電性能;? 旦完成了銅填充，則需要對(duì)晶圓進(jìn)?
減薄;后是進(jìn)?晶圓鍵合。
TSV制作流程會(huì)涉及到深刻蝕、PVD、CVD、銅填充、微凸點(diǎn)及RDL電 鍍、清
洗、減薄、鍵合等??余種設(shè)備，其中通孔制作、絕緣層/阻擋層/ 種?層的沉
積、銅填充、晶圓減薄、晶圓鍵合等?序涉及的設(shè)備為關(guān) 鍵，在某種程度上
直接決定了TSV的性能指標(biāo)。
國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
2011年，瑞?的微納系統(tǒng)研究部提出了如下圖所示的基于TSV技術(shù)圓片級(jí) 真空
封裝?案。該?案由TSV封帽與器件層兩部分構(gòu)成，TSV封帽垂直導(dǎo) 通柱是填
充在硅通孔中的銅柱。器件層上制作有?錫電極與銅柱相連，從 ?把電信號(hào)從
空腔內(nèi)部的引到空腔外部，后通過(guò)硅-硅直接鍵合實(shí)現(xiàn)密 封。該?案?密性
很好，但是TSV封帽制作?藝復(fù)雜，熱應(yīng)??(銅柱與 硅熱失配?)，且硅硅鍵
合對(duì)鍵合表面要求質(zhì)量很?，?般加?過(guò)的硅片 很難達(dá)到此要求。
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