SiC MOSFET 的比導(dǎo)通電阻很低，工作頻率很高，在高溫下能夠穩(wěn)定的工作，它在功率器件領(lǐng)域很有應(yīng)用前景。目前國(guó)際上報(bào)道的幾種結(jié)構(gòu)：UMOS、VDMOS、LDMOS、UMOS ACCUFET，以及 SIAFET 等。2008 年報(bào)道的雙 RESURF 結(jié)構(gòu)LDMOS，具有 1550 V 阻斷電壓.

國(guó)內(nèi)的SiC功率器件研究方面因?yàn)槭艿?SiC 單晶材料和外延設(shè)備的限制起步比較晚，但是卻緊緊跟蹤國(guó)外碳化硅器件的發(fā)展形勢(shì)。國(guó)家十分重視碳化硅材料及其器件的研究， 在國(guó)家的大力支持下經(jīng)已經(jīng)初步形成了研究 SiC 晶體生長(zhǎng)、SiC器件設(shè)計(jì)和制造的隊(duì)伍。電子科技大學(xué)致力于器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面，在新結(jié)構(gòu)、器件結(jié)終端和器件擊穿機(jī)理方面做了很多的工作，并且提出寬禁帶半導(dǎo)體器件優(yōu)值理論和寬禁帶半導(dǎo)體功率雙極型晶體管特性理論。

金屬與半導(dǎo)體的功函數(shù)不同，電荷越過(guò)金屬/半導(dǎo)體界面遷移，產(chǎn)生界面電場(chǎng)，半導(dǎo)體表面的能帶發(fā)生彎曲，從而形成肖特基勢(shì)壘，這就是肖特基接觸。金屬與半導(dǎo)體接觸形成的整流特性有兩種形式，一種是金屬與 N 型半導(dǎo)體接觸，且 N 型半導(dǎo)體的功函數(shù)小于金屬的功函數(shù)；另一種是金屬與 P 型半導(dǎo)體接觸，且 P 型半導(dǎo)體的功函數(shù)大于金屬的功函數(shù)。

金屬與 N 型 4H-SiC 半導(dǎo)體體內(nèi)含有大量的導(dǎo)電載流子。金屬與 4H-SiC 半導(dǎo)體材料的接觸僅有原子大小的數(shù)量級(jí)間距時(shí)，4H-SiC 半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)大于金屬的費(fèi)米能級(jí)。此時(shí) N 型 4H-SiC 半導(dǎo)體內(nèi)部的電子濃度大于金屬內(nèi)部的電子濃度，兩者接觸后，導(dǎo)電載流子會(huì)從 N 型 4H-SiC 半導(dǎo)體遷移到金屬內(nèi)部，從而使 4H-SiC 帶正電荷，而金屬帶負(fù)電荷。電子從 4H-SiC 向金屬遷移，在金屬與 4H-SiC 半導(dǎo)體的界面處形成空間電荷區(qū)和自建電場(chǎng)，并且耗盡區(qū)只落在 N 型 4H-SiC 半導(dǎo)體一側(cè)，在此范圍內(nèi)的電阻較大，一般稱(chēng)作“阻擋層”。自建電場(chǎng)方向由 N 型 4H-SiC 內(nèi)部指向金屬，因?yàn)闊犭娮影l(fā)射引起的自建場(chǎng)增大，導(dǎo)致載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與反向的漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到一個(gè)靜態(tài)平衡，在金屬與4H-SiC 交界面處形成一個(gè)表面勢(shì)壘，稱(chēng)作肖特基勢(shì)壘。4H-SiC 肖特基二極管就是依據(jù)這種原理制成的。

碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3倍，高達(dá)3.2MV/cm，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍，為49w/cm·k。它與硅半導(dǎo)體材料一樣，可以制成結(jié)型器件、場(chǎng)效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管。

肖特基二極管是用于功率整流器應(yīng)用的佳半導(dǎo)體器件，因?yàn)檫@些器件具有高電流密度和低正向電壓降，與普通PN結(jié)器件的特性不同。這些優(yōu)點(diǎn)有助于降低熱量水平，減少設(shè)計(jì)中包含的散熱器，并提高電子系統(tǒng)的整體效率。