選擇具有優(yōu)良電氣特性的功率二極體，是實(shí)現(xiàn)率電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵因素。這里推薦使用強(qiáng)茂PSDD0860S1、PSDP08120S1等型號(hào)，其電壓范圍為600V-1200V，適合應(yīng)用于各種電源系統(tǒng)中做為整流或續(xù)流的功能。

反向恢復(fù)時(shí)間（tr）的定義：電流通過零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為大反向恢復(fù)電流。Irr為反向恢復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當(dāng)t≤t0時(shí)，正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時(shí)，由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時(shí)刻，I=0。然后整流器件過反向電流IR，并且IR逐漸增大；在t=t2時(shí)刻達(dá)到大反向恢復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，并在t=t3時(shí)刻達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相似之處。

隨著電力電子技術(shù)向高頻化、模塊化方向發(fā)展，直插超快速恢復(fù)作為一種高頻器件也得到蓬勃發(fā)展，現(xiàn)已廣泛用于各種高頻逆變裝置和斬波調(diào)速裝置內(nèi)，起到高頻整流、續(xù)流、吸收、隔離和箝位的作用，這對(duì)發(fā)展我國高頻逆變焊機(jī)、高頻開關(guān)型電鍍電源、高頻開關(guān)電源、高頻快速充電電源、高頻變頻裝置及功率因數(shù)校正裝置等將起到推動(dòng)作用。

芯片的接觸區(qū)域真空沉積金屬層，實(shí)質(zhì)上這有助于它們的高功率循環(huán)應(yīng)用能力和適合芯片的封裝工藝。所有在硅晶圓片上加工處理的芯片在樣品測(cè)試后，自動(dòng)標(biāo)識(shí)不符合電氣說明的芯片，然后世成小顆粒。芯片顆粒的可形狀是正方形或長方形的。

在二極管中，超快恢復(fù)二極管是一個(gè)不可或缺的存在。由于僅有幾十納秒級(jí)的反向恢復(fù)時(shí)間，同時(shí)能夠禁受得住幾百伏甚至上千伏的反向高壓，所以它們一直在中高功率的開關(guān)整流應(yīng)用中大顯身手。

在電源電路中，當(dāng)交流電壓經(jīng)過整流器后，輸出的電壓會(huì)在一個(gè)周期內(nèi)多次變化，而快恢復(fù)二極管的快速反向恢復(fù)時(shí)間可以確保在下一個(gè)周期開始前電流已經(jīng)反向恢復(fù)，從而減少輸出電壓的波動(dòng)。此外，快恢復(fù)二極管具有大電流、低反向漏電流、低電容等優(yōu)點(diǎn)，可以提高整流效率和減少電源音。